深圳華茂翔電子有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品:
無(wú)鉛點(diǎn)膠機(jī)10CC針筒助焊膏
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¥28.00
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深圳華茂翔電子有限公司
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李艷
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經(jīng)營(yíng)模式
生產(chǎn)廠家
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
深圳市華茂翔電子有限公司生產(chǎn)的HX-F100針筒助焊膏是一種高精度焊接輔助材料,憑借其可控的流動(dòng)性、精確的點(diǎn)膠能力和優(yōu)異的焊接性能,廣泛應(yīng)用于對(duì)工藝要求嚴(yán)苛的高端領(lǐng)域。抗氧化性能強(qiáng),能有效的防止焊接時(shí)金屬氧化,提高焊點(diǎn)的牢固性和光亮度,能夠快速的去除金屬氧化膜,提高焊接良品率,可降低焊點(diǎn)的空洞率低于20%。
1. 精準(zhǔn)控制與工藝適配性
- 微量化點(diǎn)膠能力:針對(duì)0201/01005等微型元件,需支持0.1mm級(jí)點(diǎn)膠精度,搭配精密氣動(dòng)點(diǎn)膠設(shè)備時(shí)可實(shí)現(xiàn)±3%的流量偏差控制。
- 剪切稀化特性:粘度范圍建議在150-300 Pa·s(25℃),在5000 s?1剪切速率下粘度應(yīng)下降至初始值的20%-30%,確保高速產(chǎn)線(如60,000 CPH貼片機(jī))連續(xù)穩(wěn)定出膠。
2. 焊接性能強(qiáng)化指標(biāo)
- 潤(rùn)濕動(dòng)力學(xué)優(yōu)化:接觸角應(yīng)≤25°(SnAgCu焊料,銅基板),擴(kuò)展率≥85%,在245℃的TAL(液相停留時(shí)間)30秒內(nèi)完成完全鋪展。
- 熱穩(wěn)定性窗口:耐受260℃峰值溫度(無(wú)鉛工藝)持續(xù)10秒不發(fā)生碳化,活化溫度范圍150-220℃以適應(yīng)不同溫區(qū)配置。
3. 可靠性與后處理特性
- 離子污染控制:按IPC-TM-650 2.3.25標(biāo)準(zhǔn),殘留物離子污染度≤1.56 μg NaCl/cm2(Class III級(jí)要求)。
- 免清洗兼容性:殘留阻抗應(yīng)>1×1011 Ω·cm(SIR測(cè)試,85℃/85%RH),通過(guò)168小時(shí)濕熱試驗(yàn)無(wú)枝晶生長(zhǎng)。
4. 材料工程特性
- 流變學(xué)設(shè)計(jì):觸變指數(shù)(TI值)>4.0,保證立式點(diǎn)膠時(shí)無(wú)垂流(0.5mm膠點(diǎn)高度保持率>95%)。
- 粒徑分布優(yōu)化:活性劑顆粒D50控制在3-5μm,最大粒徑<15μm(防止500μm以下膠嘴堵塞)。
5. 環(huán)境與工藝兼容性
- 雙工藝兼容配方:氮?dú)猸h(huán)境(氧含量<500ppm)與空氣環(huán)境焊接的潤(rùn)濕力差異<15%。
- 寬工藝窗口設(shè)計(jì):適應(yīng)從RSS(斜坡-保溫-峰值)到RTS(線性升溫)多種溫度曲線,預(yù)熱時(shí)間容差±20秒。
6. 包裝工程學(xué)設(shè)計(jì)
- 壓力傳遞效率:30cc針筒在0.3MPa氣壓下出膠量線性度誤差<5%,殘留量<3%。
- 防結(jié)晶處理:在40℃/80%RH加速老化測(cè)試中,72小時(shí)無(wú)針頭結(jié)晶現(xiàn)象。
7. 合規(guī)性參數(shù)
- 鹵素控制:Cl<500ppm,Br<500ppm,Cl+Br<800ppm(滿足IPC J-STD-004B ROL0級(jí))。
- VOC排放:符合GB/T 38597-2020標(biāo)準(zhǔn),250℃熱失重<2.5%。
此類參數(shù)需通過(guò)正交實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)優(yōu)化配方,平衡松香酸值(80-120 mg KOH/g)、活化劑分解溫度(180-220℃)與緩蝕劑協(xié)同作用。先進(jìn)產(chǎn)品如某國(guó)際品牌的NF-800系列,采用納米膠囊化緩蝕技術(shù),在保證活性的同時(shí)將銅鏡腐蝕時(shí)間延長(zhǎng)至>48小時(shí)(40℃/90%RH)。
實(shí)際選型時(shí)應(yīng)結(jié)合具體工藝參數(shù)(如OSP/ENIG表面處理類型、回流焊溫區(qū)數(shù)量、產(chǎn)品服役環(huán)境等),通過(guò)潤(rùn)濕平衡測(cè)試和SIR測(cè)試驗(yàn)證匹配性。對(duì)于高頻高速PCB,還需評(píng)估介電常數(shù)影響(Dk<3.5@10GHz)。

