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    AO4803A場效應(yīng)管參數(shù)：

    FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

    FET 功能：邏輯電平門

    漏源電壓（Vdss）：30V

    電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：5A

    不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：46 毫歐 @ 5A，10V

    不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250?A

    不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：520pF @ 15V

    功率 - 最大值：2W

    工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

    MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項：

    MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下規(guī)則：

    （1）. MOS器件出廠時通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝

    （2）. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。

    （3）. MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。

    （4）. MOS場效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極管。在檢修電路時應(yīng)注意查證原有的保護二極管是否損壞。