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損耗

可控電抗器在額定負載時，鐵芯工作在磁飽和區(qū)域，在這種結構下，磁飽和時的邊緣效應顯著，由于磁閥交替飽和，在磁閥附近鐵芯區(qū)域存在較大的橫向磁場分量，因此增了電抗器鐵芯和繞組的附加損耗，通常約為2%--4%。

目前，MCR經過不斷的技術革新，損耗也有所下降，但是始終不會低于鐵芯式電抗器的額定損耗。鐵心式電抗器的國家標準，按照其容量不同，額定損耗一般為1.2~2%之間。因此，實際運行中，小于5萬MVar的MCR式動態(tài)補償的損耗不會小于1.8%

SVG的優(yōu)勢

通過上一節(jié)對SVG原理的描述可以知道，SVG可以根據負載特點和工況，自動調節(jié)其輸出的無功功率的大小和性質（容性或者感性）。因此，從本質上講，SVG可以等效為大小可以連續(xù)調節(jié)的電容或電抗器。

SVG是目前為先進的無功補償技術，其基于電壓源型變流器的補償裝置實現了無功補償方式質的飛躍。它不再采用大容量的電容、電感器件，而是通過大功率電力電子器件的高頻開關實現無功能量的變換。從技術上講，SVG較傳統(tǒng)的無功補償裝置有如下優(yōu)勢：

1) 響應時間更快

SVG響應時間：≤5ms。

傳統(tǒng)靜補裝置響應時間： ≥10ms。

SVG可在極短的時間之內完成從額定容性無功功率到額定感性無功功率的相互轉換，這種的響應速度完全可以勝任對沖擊性負荷的補償。

抑制電壓閃變能力更強

SVC對電壓閃變的抑制可達2：1，SVG對電壓閃變的抑制可以達到5：1，甚至更高。SVC受到響應速度的限制，其抑制電壓閃變的能力不會隨補償容量的增加而增加。而SVG由于響應速度極快，增大裝置容量可以繼續(xù)提高抑制電壓閃變的能力。