TOSHIBA/東芝 分立半導(dǎo)體晶體管單個(gè) TPN2R304PL,L1Q 21年原裝現(xiàn)貨 8-PowerVDFN
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TOSHIBA/東芝-分立半導(dǎo)體晶體管單個(gè)-TPN2R304PL,L1Q-21年原裝現(xiàn)貨

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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
品牌 TOSHIBA/東芝
類型 N 通道
批號(hào) 2137
特色服務(wù) 原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)價(jià)格
型號(hào) TPN2R304PL L1Q
封裝 8-PowerVDFN
系列 U-MOSIX-H
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40 V
功率耗散（最大值） 630mW（Ta），104W（Tc）
工作溫度 175°C
安裝類型 表面貼裝型
商品介紹
類別 ：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)  
制造商 ：Toshiba Semiconductor  /東芝
系列： U-MOSIX-H  
包裝： 卷帶（TR）
零件狀態(tài) ：在售  
FET 類型： N 通道  
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  
漏源電壓（Vdss）： 40 V  
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：80A（Tc）  
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最min Rds On）： 4.5V，10V  
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最max值）： 2.3 毫歐 @ 40A，10V  
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最max值）： 2.4V @ 0.3mA  
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最max值） ：41 nC @ 10 V  
Vgs（最max值）： ±20V  
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最max值）： 3600 pF @ 20 V  
功率耗散（最大值）： 630mW（Ta），104W（Tc）  
工作溫度： 175°C  
安裝類型 ：表面貼裝型  
供應(yīng)商器件封裝： 8-TSON Advance（3.1x3.1）  
封裝/外殼： 8-PowerVDFN  
基本產(chǎn)品編號(hào)： TPN2R304 

聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市恒天華科技有限公司
聯(lián)系賣家 鄧小姐 （QQ：2881704035）
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手機(jī) 쑥쑢쑣쑥쑥쑠쑡쑢쑠쑠쑣
地址 廣東省深圳市
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