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半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。
但不能以電壓波動(dòng)來(lái)代替閃變，因?yàn)殚W變是人對(duì)照明波動(dòng)的主觀視感。電弧爐、軋鋼機(jī)等大功率用電器在運(yùn)行過(guò)程中會(huì)引起電網(wǎng)的電壓波動(dòng)。電機(jī)在啟動(dòng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生沖擊電流，出現(xiàn)沖擊電流時(shí)，公用配電網(wǎng)的阻抗會(huì)使分壓增加，從而導(dǎo)致電壓下降，電壓下降會(huì)導(dǎo)致白熾燈的亮度下降。即使是很小的電壓變動(dòng)，亮度變化也會(huì)很大，因?yàn)榱炼群碗妷旱钠椒匠烧嚓P(guān)。如所示。，電壓降低10%，亮度會(huì)降低34%。下面和大家分享一個(gè)實(shí)際的案例。背景：某咖啡廳內(nèi)，客人抱怨燈光閃爍。

挑戰(zhàn)某山西火電廠提出，根據(jù)GB13223-211《火電廠大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》中指出，所有大氣污染物濃度均為標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下干煙氣的數(shù)值即溫度為273K，壓力為11325Pa時(shí)的濃度，并以mg/m3作為單位，新建燃煤燃油鍋爐SO2以及氮氧化物NOX的排放限制一般都在1mg/m3。但是客戶(hù)提出，德圖煙氣分析儀testo35使用的單位都是ppm，即為體積比濃度，那如何和國(guó)標(biāo)進(jìn)行配合。解決方案德圖煙氣分析儀testo34/35進(jìn)入國(guó)內(nèi)市場(chǎng)十余載，根據(jù)國(guó)內(nèi)的客戶(hù)需求一直在做不同的改進(jìn)，根據(jù)上述提出的問(wèn)題，德圖在進(jìn)入國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的時(shí)候就已經(jīng)將這個(gè)問(wèn)題考慮在內(nèi)，德圖煙氣分析儀不僅有ppm體積比濃度，也有mg/m3質(zhì)量比濃度，但是在標(biāo)準(zhǔn)中要求，因鍋爐運(yùn)行時(shí)，效率不同，可以根據(jù)氧含量來(lái)權(quán)衡鍋爐情況，所以需要將實(shí)際氧含量運(yùn)行情況下的污染物濃度換算到基準(zhǔn)氧含量情況下的污染物濃度。