英飛凌IGBT模塊FZ400R12KS4采購 菲茲電子
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系列 IGBT系列
封裝 標準封裝
批號 new
可控硅類型 硅（si）
種類 化合物半導體
商品介紹
IGBT的開關速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間，但關斷時間隨柵和發(fā)射并聯電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵電壓的增加而降低。
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公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
聯系賣家 張嵐颯 （QQ：1539653456）
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傳真 萨萬萦-营萦萪萧营萪营萩
地址 上海市