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變頻器IG和IGCT的區(qū)別在哪里?
1、IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。
2、相對于IG而言，IGCT投放市場的時(shí)間較晚，應(yīng)用也沒有IG廣，技術(shù)成熟度應(yīng)該不如IG。
目前的 IG和IGCT開、關(guān)損耗都差不多，構(gòu)成的變頻器，效率也差別不大。 要論優(yōu)勢，主要是IGCT的耐壓目前比IG的耐壓高，應(yīng)用于高壓變頻器的話使得器件減少。

infineon英飛凌IG模塊BSM10GP60，可控硅模塊

part number IG編號
VCES 在門極一發(fā)射極之間處于短路狀態(tài)時(shí)，集電極一發(fā)射極間能夠外加的zui大電壓
Collector current 集電極電流
Configuration

若在IG的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IG的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IG與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過，基本上不消耗功率。

IG可控硅，infineon英飛凌IG模塊BSM10GP60

在電力電子設(shè)備中，選擇IG模塊時(shí)，通常是先計(jì)算通過IG模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn)，考慮到過載、電網(wǎng)波動(dòng)、開關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應(yīng)的IG模塊。但嚴(yán)格的選擇，應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況，計(jì)算耗散功率，通過熱阻核算具zui高結(jié)溫不超過規(guī)定值來選擇器件。通過zui高結(jié)溫核標(biāo)可選擇較小的IG模塊通過更大的電流，更加有效地利用IG模塊。