深圳市瑞泰威科技有限公司
主營產(chǎn)品: 磁簧開關(guān)
線性驅(qū)動ic公司-瑞泰威驅(qū)動IC-LED驅(qū)動IC驅(qū)動ic定制
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主營產(chǎn)品





IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:
IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時,集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時,IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi),IC與VGE呈線性關(guān)系。
IGBT與MOSFET的對比:
MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
主要優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點:擊穿電壓低,工作電流小。
電流線性LED驅(qū)動Ic
LED 電流可通過專用引腳上的高奧姆電阻輕松調(diào)整,IC 供電電壓范圍介于 6 V 至 42 V 之間。具備智能型過熱控制電路設(shè)計,可在溫度上升時保持恒定電流,提供安全可靠的運作效能,并延長 LED 系統(tǒng)壽命。此外,驅(qū)動器只會在接面溫度變得很高時降低 LED 電流。BCR431U 擁有可低達 1% 等級的調(diào)光亮度,對多種 LED 燈條設(shè)計極具吸引力。
瑞泰威驅(qū)動IC廠家,是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè),專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售,品類齊全,具備上百個型號。
電力MOSFET一般由PWM或其他方式的控制器IC內(nèi)部驅(qū)動源驅(qū)動,為提高關(guān)斷速度,實現(xiàn)快速關(guān)斷以降低關(guān)斷損耗以提高系統(tǒng)效率,在許多ACDC電源、手機充電器及適配器的驅(qū)動電路設(shè)計中,通常采用圖1所示的驅(qū)動電路,采用適當(dāng)?shù)拈_關(guān)開關(guān)電阻和柵極下拉PNP管。有些大功率ACDC電源有時為了提高驅(qū)動能力,在外部采用了兩根管子組成的圖騰柱。
