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產(chǎn)品用途分析：珍珠巖磨料主要用于電視機(jī)玻殼、電腦顯示屏、光學(xué)玻璃儀器及玻璃工藝飾品的拋光。在某些計(jì)算機(jī)顯示屏生產(chǎn)中，為了降低顯示屏表面的反光度，保護(hù)操作人員的視力，需要對(duì)顯示屏玻殼表面進(jìn)行打磨。電腦顯示屏玻殼的摩氏硬度一般在6.8一7.0之間，珍珠巖的摩氏硬度為5一6，硬度中等，非常適于玻殼的研磨。將珍珠巖磨料加到玻屏表面在打磨機(jī)上施加一定的壓力，與砂紙一起對(duì)玻屏表面進(jìn)行機(jī)械打磨，使玻殼表面的光澤度達(dá)到適當(dāng)?shù)某潭??！局行艗伖饽チ稀酷愪X石榴石(YAG)是一種應(yīng)用廣泛的硬脆難加工材料,其拋光過(guò)程工藝復(fù)雜、效率低。固結(jié)磨料拋光技術(shù)具有平坦化能力優(yōu)、對(duì)工件形貌選擇性高、磨料利用率高等優(yōu)點(diǎn)。試驗(yàn)采用固結(jié)磨料拋光YAG晶體,研究固結(jié)磨料墊的基體硬度和金剛石磨粒尺寸對(duì)YAG晶體的材料去除率和表面質(zhì)量的影響。結(jié)果表明:當(dāng)基體硬度適中為Ⅱ、金剛石磨粒尺寸3～5μm時(shí),固結(jié)磨料拋光YAG晶體效果優(yōu),其材料去除率為255 nm/min,表面粗糙度S_a值為1.79 nm。

采用不同粒徑的W28和W7碳化硼（B4C）磨料對(duì)藍(lán)寶石晶片進(jìn)行研磨和化學(xué)機(jī)械拋光。研究了不同粒徑的B4C磨料對(duì)藍(lán)寶石晶片研磨和化學(xué)機(jī)械拋光后的移除率、粗糙度、平坦度、彎曲度、翹曲度等參數(shù)的影響。結(jié)果表明:W28和W7的磨料有不同的研磨和拋光性能,在相同的加工條件下,使用W28的B4C磨料,移除速率較快,但研磨所得藍(lán)寶石晶片的損傷層較深,單面拋光20μm不足以去除其損傷層,拋光后表面劃痕較多,粗糙度較大（Ra=1.319 nm,Rt=2.584 nm）,表面有明顯起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨時(shí)間長(zhǎng),在單面拋光移除20μm后其損傷層全部移除,拋光所得藍(lán)寶石晶片平坦度略佳,拋光表面平整,粗糙度較?。≧a=0.194 nm,Rt=0.361 nm）,無(wú)明顯起伏,表面質(zhì)量相對(duì)較高,適于精修平坦度。

超硬磨料磨具以其優(yōu)異的磨削性能獲得機(jī)械加工領(lǐng)域普遍認(rèn)可,但制約其進(jìn)一步拓展應(yīng)用的主要原因之一是超硬砂輪修整極其困難。面對(duì)此難題,作者梳理目前超硬砂輪在工程應(yīng)用中的主要修整方法,分析其工作原理、技術(shù)演變、主要特點(diǎn)、應(yīng)用狀況,對(duì)先進(jìn)修整技術(shù)進(jìn)行闡述,后總結(jié)并展望三大結(jié)合劑超硬砂輪實(shí)用修整技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)。金屬結(jié)合劑超硬砂余量去除基本鎖定為電火花放電修整,小余量修整主要以普通磨具磨削法修整為主,細(xì)粒度超硬砂輪采用在線電解修整優(yōu)勢(shì)明顯;陶瓷結(jié)合劑超硬砂輪簡(jiǎn)單直線修整逐漸被點(diǎn)輪修整取代,高陡度成型砂輪修整仍是金剛石滾輪;樹脂結(jié)合劑超硬砂輪多以磨削法修整為主,但科學(xué)實(shí)用修整技術(shù)仍需進(jìn)一步研發(fā)。激光修整具有非接觸、高效、便利、易控、超長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn),具有更加廣闊的發(fā)展前景;集機(jī)、電、聲、熱、化等多種方法于一體的復(fù)合修整也是超硬砂輪技術(shù)人員一直關(guān)注和研發(fā)的重點(diǎn)。

為了提高微晶玻璃化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的材料去除速率(MRR),降低其表面粗糙度,利用自制的拋光液對(duì)微晶玻璃進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光,研究了4種含不同磨料(Si O2、Al2O3、Fe2O3、Ce O2)的拋光液對(duì)微晶玻璃化學(xué)機(jī)械拋光MRR和表面粗糙度的影響.利用納米粒度儀檢測(cè)拋光液中磨料的粒徑分布和Zeta電位,利用原子力顯微鏡觀察微晶玻璃拋光前后的表面形貌.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在相同條件下,采用Ce O2作為磨料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光時(shí)可以獲得的表面質(zhì)量,拋光后材料的表面粗糙度Ra=0.4 nm,MRR=100.4 nm/min.進(jìn)一步研究了拋光液中不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的Ce O2磨料對(duì)微晶玻璃化學(xué)機(jī)械拋光的影響,結(jié)果表明,當(dāng)拋光液中Ce O2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7%時(shí),MRR達(dá)到185 nm/min,表面粗糙度Ra=1.9 nm;而當(dāng)拋光液中Ce O2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%時(shí),MRR=100.4 nm/min,表面粗糙度Ra=0.4 nm.Ce O2磨料拋光后的微晶玻璃能獲得較低表面粗糙度和較高M(jìn)RR.