AO3419 20V 3.5A SOT23 P 溝道 場效應(yīng)管
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AO3419-20V-3.5A-SOT23

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型號 AO3419
品牌 AO3419
封裝 SOT23
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 貼片式
包裝方式 卷帶編帶包裝
功率特征 小功率
數(shù)量 9000
商品介紹

一般說明

AO3419采用先進的溝槽技術(shù)提供

出色的RDS（ON），低柵極電荷和柵極操作

電壓低至2.5V。該設(shè)備適合用作

負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

產(chǎn)品摘要:AO3419

VDS -20V

ID（VGS = -10V）-3.5A

RDS（ON）（VGS = -10V）<85mΩ

RDS（ON）（VGS = -4.5V）<102mΩ

RDS（ON）（VGS = -2.5V）<140mΩ

典型的ESD保護HBM Class 2

AO3419

A.使用安裝在1in2 FR-4板上的器件和2oz測量RθJA的值。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定電路板設(shè)計。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，使用≤10s結(jié)至環(huán)境熱阻。

C.重復(fù)額定值，脈沖寬度受結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C的限制。額定值基于低頻率和占空比來保持

initialTJ = 25°C。

D.RθJA是從結(jié)到引線RθJL的熱阻抗與導(dǎo)致環(huán)境的總和。

E.使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得圖1至圖6中的靜態(tài)特性。

F.這些曲線基于結(jié)至環(huán)境的熱阻抗，該阻抗是通過安裝在1in2 FR-4板上的器件測得的。

2盎司銅，假設(shè)最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

AO3419

規(guī)格FET 類型P 溝道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）20V電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）3.5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，10V不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）85 毫歐 @ 3.5A，10V不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1.4V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）4.4nC @ 4.5VVgs（最大值）±12V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）400pF @ 10VFET 功能-功率耗散（最大值）1.4W（Ta）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3L


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公司名稱 深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司
聯(lián)系賣家 林小姐 （QQ：2885049146）
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地址 廣東省深圳市
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