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本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：11 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：17.5 mOhms Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：6.2 nC Pd-功率耗散：2.5 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：?jiǎn)?高度：1.75毫米 長(zhǎng)度：4.9毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：3.9毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號(hào)別名：IRF8707TRPBF SP001555780 單位重量：540毫克 特征 •先進(jìn)的工藝技術(shù) •動(dòng)態(tài)dv / dt評(píng)級(jí) •175°C工作溫度 •快速切換 •完全雪崩等級(jí) •輕松并行 •簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)器要求 •無鉛 描述 第五代HEXFET®國(guó)際整流器利用先進(jìn)的處理技術(shù)，使每個(gè)硅面積的導(dǎo)通電阻極低。這項(xiàng)優(yōu)勢(shì)與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員提供了一種極其有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 TO-220封裝普遍適用于所有功耗約為50瓦的商業(yè)工業(yè)應(yīng)用。 TO-220的低熱阻和低封裝成本有助于其在整個(gè)行業(yè)中的廣泛接受。 D2Pak是一種表面安裝電源封裝，能夠容納高達(dá)HEX-4的裸片尺寸。在現(xiàn)有的任何表面貼裝封裝中，它都具有最高的功率能力和最低的導(dǎo)通電阻。 D2Pak的內(nèi)部連接電阻低，因此適合大電流應(yīng)用，在典型的表面安裝應(yīng)用中，其耗散功率高達(dá)2.0W。 通孔版本（IRF630NL）可用于薄型應(yīng)用。 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 9.3 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 6.5 IDM Pulsed Drain Current G) 37 PD @TC = 25°C Power Dissipation 82 W Linear Derating Factor 0.5 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy(￡ 94 mJ IAR Avalanche CurrentG) 9.3 A EAR Repetitive Avalanche EnergyG) 8.2 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt @ 8.1 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to +175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew© 10 lbf•in (1.1N•m)