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SI2304DDS-T1-GE3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  FET MOSFET  單 （百分百原裝現(xiàn)貨 優(yōu)勢供應(yīng)）

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  無鉛環(huán)保  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 3.6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 60 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 6.7 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.7 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: TrenchFET

系列: SI2  

晶體管類型: 1 N-Channel  

商標: Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 11 S  

下降時間: 5 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 12 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 10 ns  

典型接通延遲時間: 5 ns  

零件號別名: SI2304DDS-GE3  

單位重量: 8 mg  

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